Исследователями из Калифорнийского и Стэндфордского университетов создана новая технология по созданию транзисторов на одном кристалле с использованием органических материалов. Результаты исследовательских работ напечатаны в журнале Nature за декабрь. Транзисторы из органических материалов в ручном режиме размещаются на кристалле, именно поэтому их не так часто применяют в электронных технологиях. Разработчиками предложен метод, который позволяет в масштабах промышленного производства изготавливать схемы транзистора на пластинах из кремния, гибких подложках без использования ручной работы.

На первом этапе производства осуществляется распределение на подложке электродов, после чего изготавливается отпечаток с шаблона размещения самого транзистора, материалом для отпечатка служит полидиметилсилоксан. Этот материал затем покрывается слоем октадецилтриэтоксисилана, который используется для выращивания монокристаллов. После соединения электродов с кристаллами формирование транзистора завершается. В результате исследований с использованием разных материалов разработчики разместили на подложке, площадь которой в 800 млн. раз меньше, чем 1 квадратный дюйм, кристаллы. Чжэнань Бао, который является одним из исследователей, сообщает, что с помощью новой технологии удастся создавать схемы высокой производительности, и она будет применена в создании дисплеев.

Сами исследователи сообщают, что транзисторы из органических материалов будут работать, если согнуть подложку, а это способствует еще большему расширению сферы использования таких транзисторов. Похожая технология с полупроводниками из органических материалов, которую разработали японские ученые, помогла создать гибкий дисплей, который отображает шрифт Брайля. Но на данный момент технология не готова к производству в коммерческих масштабах, так существует еще несколько нерешенных исследователями вопросов. Спонсируют разработки американское управление по научным исследованиям ВВС, Bell Labs Graduate Research Fellowship, Центр по исследованию полимерных технологий при Национальном научном фонде Соединенных Штатов Америки, а также факультет инженерии при Стэндфордском университете.